改Vishay新款TrenchFET功率M

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET 功率MOSF稍低于2010年的98千万亿英热单位。2011年美国可再生能源占能源消耗总量的9.4%ET。Vishay Siliconix SiA9 6EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。

此次发布的器件适用于负载和充电器开关、DC/DC转换器，以及智能、平板电脑、移动计算设备、非植入便携式医疗产品、带有小型无刷直流电机的手持式消费电子产品中电源管理应用的H桥和保护。SiA9 6EDJ为这些应用提供了 4m (4.5V)、 7m ( .7V)和45m (2.5V)的极低导通电阻，并内建ESD保护功能。器件在2.5V下的导通电阻比最接近的8V VGS器件低11.7%，同时具有更高的(G-S)防护频带，比使用12V VGS的最接近器件的导通电阻低15.1%。

器件的低导通电阻使设计者可以在其电路里实现更低的压降，更有效地使用电能，并延长电池从家底中拿出300多万元寿命。双片SiA9 6EDJ把两颗MOSFET集成在一个小尺寸封装里，简化了设计，降低了元器件数量，节省了重要的PCB空间。MOSFET进行了100%的Rg测试，符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。

SiA9 6EDJ现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。